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VNN7NV04PTR-E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

VNN7NV04PTR-E product

VNN7NV04PTR-E

Power Distribution Switches

MOSFETGeschütztSOT-223STMicroelectronics

Der VNN7NV04PTR-E ist ein vollständig geschützter Power-MOSFET im SOT-223-Gehäuse, ideal für anspruchsvolle Umgebungen mit integriertem Thermo- und Überspannungsschutz.

Ideal für

  • Automobilanwendungen
  • Schalten induktiver Lasten
  • Leistungssteuerung in rauen Umgebungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 6A
  • Hochfrequenzschaltungen über 50 kHz

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Eingangstreiber-Impedanz

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
6 A
RDS(on)
60 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilEnergieverwaltung

Datenblatt

VNN7NV04PTR-E-STMicroelectronics-datasheet-10836023.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für VNN7NV04PTR-E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OMNIFET II Power-MOSFET von STMicroelectronics, der als Ersatz für Standard-MOSFETs in Anwendungen bis 50 kHz konzipiert ist.