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VNS1NV04DPTR-E KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen

KI-Zusammenfassung

VNS1NV04DPTR-E product

VNS1NV04DPTR-E

Power Distribution Switches

Dual-MOSFETVollständig geschütztSO-8

Der VNS1NV04DP-E ist ein vollständig geschützter Dual-Kanal-Leistungs-MOSFET im SO-8-Gehäuse, der sich ideal für robuste Schaltanwendungen bis 50 kHz eignet.

Ideal für

  • Automobil- und Industrieanwendungen
  • Ansteuerung induktiver Lasten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Schaltfrequenzen über 50 kHz

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vdss
40 V
Id (typ)
1.7 A
Rds(on)
250 mOhm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilIndustrie

Datenblatt

a192cda89e39486e5fbcaeecbc85feb1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.

EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
Dateien holen
PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
Dateien holen
3D Model
STEP file for mechanical design
Dateien holen

Anmeldung erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OMNIFET II Dual-Leistungs-MOSFET mit integrierten Schutzfunktionen wie Strombegrenzung, thermischer Abschaltung und Überspannungsklemmung.