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VPDD202W102K1GV001E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

VPDD202W102K1GV001E product

VPDD202W102K1GV001E

Ceramic Capacitors

DünnschichtKeramiksubstratRFMikrowelle

Das VPDD202W102K1GV001E ist ein spezialisiertes, dünnschicht-strukturiertes Titanat (W)-Substrat für Hochfrequenz- und Mikrowellenanwendungen.

Ideal für

  • RF-Filter
  • Koppler
  • Hochfrequenz-Übertragungsleitungen

Vermeiden, wenn

  • Kostengünstige Nicht-RF-Anwendungen
  • Designs, die extrem niedrige Dielektrizitätskonstanten erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) im Vergleich zum Gehäuse
  • Metallisierungsschema für Drahtbonden oder Löten

Wichtige Specs

Material
Titanat (W)
Dielektrizitätskonstante
3150
Temperaturkoeffizient
±15%
Betriebstemperatur
-55°C bis +125°C

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

RF/MikrowelleHochleistung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für VPDD202W102K1GV001E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein dünnschicht-strukturiertes Keramiksubstrat auf Titanat (W)-Basis, das für RF-, Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltungsdesigns optimiert ist.