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WIP201610S-2R2ML KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

WIP201610S-2R2ML product

WIP201610S-2R2ML

Chokes

LeistungsinduktorGeschirmtDrahtgewickelt2016 Gehäuse

Der INPAQ WIP201610S-2R2ML ist ein magnetisch geschirmter 2,2 µH Drahtwickel-Leistungsinduktor im 2016 (EIAJ) SMD-Gehäuse, der für portable DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Portable DC/DC-Wandler
  • Smartphones und Tablets
  • Flache Stromversorgungsmodule

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Dauerströmen über 2,2 A
  • Umgebungen mit Temperaturen über 125°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Induktivitätsabfall bei Spitzenstrom
  • Wärmeableitung bei hoher Bauteildichte

Wichtige Specs

Induktivität
2,2 µH
Toleranz
±20%
Typischer DCR
117 mΩ
Gehäuse
2016 (EIAJ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

a69b3f28dee94693b0d4ba43f9d3487e_2304140030_INPAQ-WIP201610S-2R2ML_C964111.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für WIP201610S-2R2ML laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen magnetisch geschirmten Drahtwickel-Leistungsinduktor mit einer Nenninduktivität von 2,2 µH und einem 2016 (EIAJ) Footprint.