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WIP252012P-4R7ML KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

WIP252012P-4R7ML product

WIP252012P-4R7ML

Transformers

LeistungsinduktivitätAbgeschirmtSMD2520 Gehäuse

Der WIP252012P-4R7ML ist eine kompakte, abgeschirmte 4,7µH-Leistungsinduktivität von INPAQ, optimiert für tragbare Elektronik mit hohem Wirkungsgrad.

Ideal für

  • Tragbare DC-DC-Wandler
  • Smartphones
  • Tablets

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spitzenströmen über 1,9A
  • Extreme thermische Umgebungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Kontinuierliche Stromanforderungen
  • Spitzenlasten

Wichtige Specs

Induktivität
4,7 µH
Sättigungsstrom
1,9 A
Gleichstromwiderstand
196 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

5f2eb3a37f15e7fcad7d069f7143fde5_2206142015_INPAQ-WIP252012P-4R7ML_C964123.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für WIP252012P-4R7ML laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine drahtgewickelte, magnetisch abgeschirmte Leistungsinduktivität mit 4,7µH Induktivität für die Oberflächenmontage in tragbaren Geräten.