Für UnternehmenPreise
Demo buchen

WNM2016 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

WNM2016 product

WNM2016

FETs

MOSFETN-KanalSOT-23Leistung

Der WNM2016 ist ein 20V N-Kanal TrenchFET-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Schalten in tragbaren Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbare Lastschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V
  • Hochleistungsanwendungen, die über die SOT-23-Kühlung hinausgehen

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
4,2 A
RDS(on)
45 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

3dc270b79954a47494f7b1c4689773f4_cbff50ef03472c751694e874be78b7ab_WNM2016.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für WNM2016 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der WNM2016 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit TrenchFET-Technologie, der für niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten in kompakten SOT-23-Gehäusen ausgelegt ist.