ProjektePreiseInsights

WPN201612H2R2MT KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen

KI-Zusammenfassung

WPN201612H2R2MT product

WPN201612H2R2MT

Chokes

LeistungsinduktivitätSMD2,2µH

Der WPN201612H2R2MT ist eine 2,2µH drahtgewickelte Leistungsinduktivität von Sunlord, optimiert für kompakte Elektronik mit hohem Sättigungsstrom.

Ideal für

  • Mobilgeräte
  • Kompakte Netzteile
  • Unterhaltungselektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spitzenströmen über 1,7A

Vor der Verwendung prüfen

  • Induktivitätsabfall bei hohem DC-Bias

Wichtige Specs

Induktivität
2,2 µH
Sättigungsstrom
1,7 A
Gleichstromwiderstand (Typ)
0,122 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

b225530bbadeb87e49711400bd24daed_2310251551_Sunlord-WPN201612H2R2MT_C97025.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.

EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
Dateien holen
PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
Dateien holen
3D Model
STEP file for mechanical design
Dateien holen

Anmeldung erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine drahtgewickelte SMD-Leistungsinduktivität mit 2,2µH, die für hochdichte Leiterplatten entwickelt wurde.