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XR1265-6R8M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

XR1265-6R8M product

XR1265-6R8M

Chokes

LeistungsinduktivitätSMDHochstrom

Der XR1265-6R8M ist eine geschirmte Leistungsinduktivität mit 6,8µH und 12A Nennstrom im kompakten 13,5x12,6mm SMD-Gehäuse.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Netzteile
  • Server

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die kleinere Bauformen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung bei hoher Last

Wichtige Specs

Induktivität
6,8 µH
Nennstrom
12 A
Sättigungsstrom
19 A
DCR
13,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

4b81ba0f171c2b893ddc59c3226cb269_2403281204_XR-XR1265-6R8M_C5307728.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für XR1265-6R8M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine geformte Leistungsinduktivität von Dongguan Xiangru Electronics für DC/DC-Wandler und Stromversorgungen.