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XR1265-8R2M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

XR1265-8R2M product

XR1265-8R2M

Chokes

LeistungsinduktivitätSMDGeschirmt

Der XR1265-8R2M ist eine geschirmte Hochstrom-Leistungsinduktivität mit 8,2 µH, die für anspruchsvolle Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Server-Netzteile
  • Laptop-Stromversorgung

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die kleinere Footprints erfordern
  • Anwendungen, die eine Betriebstemperatur von 125 °C überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • PCB-Landemuster-Abmessungen
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Induktivität
8,2 µH
Nennstrom
11 A
Sättigungsstrom
13,5 A
Gleichstromwiderstand
16 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

11ab8ed160a9c2f9a4d94effc426d409_2403281204_XR-XR1265-8R2M_C5339466.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für XR1265-8R2M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine geformte Leistungsinduktivität von Dongguan Xiangru Electronics mit 8,2 µH Induktivität und einem SMD-Footprint von 13,5 x 12,6 mm.