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YGW50N65F1A KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

YGW50N65F1A product

YGW50N65F1A

Transistors - IGBTs - Single

IGBT650V50ATrench Field Stop

Der YGW50N65F1A ist ein 650V, 50A Trench-Field-Stop-IGBT im TO-247-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen.

Ideal für

  • USV
  • Wechselrichter
  • PFC

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung, bei denen kleinere Gehäuse erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Treiber-Spannungspegel

Wichtige Specs

VCE(max)
650 V
IC(max)
50 A
VCE(sat)
1.8 V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrielle Wechselrichter

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für YGW50N65F1A laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V, 50A Trench-Field-Stop-IGBT, der für schnelles Schalten und Energieeffizienz entwickelt wurde.