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YGW60N65F1A1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

YGW60N65F1A1 product

YGW60N65F1A1

Transistors - IGBTs - Single

IGBT650V60ATO-247

Der YGW60N65F1A1 ist ein 650V, 60A Trench Field Stop IGBT im TO-247-Gehäuse, der für hocheffiziente Leistungselektronik optimiert ist.

Ideal für

  • Wechselrichtersysteme
  • USV
  • Schweißtechnik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem flache SMD-Komponenten erfordern (dies ist ein TO-247 THT-Bauteil).

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (Rθj-c) für die Dimensionierung des Kühlkörpers.
  • Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

Vces
650V
Ic
60A
Vce(sat)
1.85V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrielle Wechselrichter

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für YGW60N65F1A1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Trench Field Stop IGBT von Luxin-Semi mit einer Nennleistung von 650V und 60A, der für effiziente Leistungselektronik entwickelt wurde.