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YHJ-65H225DDC KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

YHJ-65H225DDC product

YHJ-65H225DDC

MOSFETs - Single

GaNHEMT650VLeistungstransistor

Der YHJ-65H225DDC ist ein 650V GaN-HEMT-Transistor im DFN-5x6-Gehäuse, der für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • AC/DC-Wandler
  • Motorantriebe

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von mehr als 8A erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung und Anforderungen an die Wärmeableitung.

Wichtige Specs

Vdss
650 V
Id
8 A
Rds(on)
215 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileMotorantriebe

Datenblatt

454b8ffda4d88cd2c8c6d58e89c0aec7_2406111453_NITRIDE-YHJ-65H225DDC_C22458938.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für YHJ-65H225DDC laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen integrierten GaN-HEMT-Transistor für Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Leistungsanwendungen.