ProjektePreiseInsights

YHJ-65H225DDC KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen

KI-Zusammenfassung

YHJ-65H225DDC product

YHJ-65H225DDC

MOSFETs - Single

GaNHEMT650VLeistungstransistor

Der YHJ-65H225DDC ist ein 650V GaN-HEMT-Transistor im DFN-5x6-Gehäuse, der für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • AC/DC-Wandler
  • Motorantriebe

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von mehr als 8A erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung und Anforderungen an die Wärmeableitung.

Wichtige Specs

Vdss
650 V
Id
8 A
Rds(on)
215 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileMotorantriebe

Datenblatt

454b8ffda4d88cd2c8c6d58e89c0aec7_2406111453_NITRIDE-YHJ-65H225DDC_C22458938.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.

EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
Dateien holen
PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
Dateien holen
3D Model
STEP file for mechanical design
Dateien holen

Anmeldung erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen integrierten GaN-HEMT-Transistor für Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Leistungsanwendungen.