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YI201209U101-3R0T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

YI201209U101-3R0T product

YI201209U101-3R0T

Filters

Ferrit-BeadEMI-Unterdrückung0805Hoher Strom

Das YI201209U101-3R0T ist ein Ferrit-Chip-Bead für hohe Ströme im 0805-Gehäuse, das speziell für die EMI-Unterdrückung in digitalen und automotiven Schaltungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • EMI-Unterdrückung in Hochstrom-Stromleitungen
  • Rauschfilterung in digitalen Geräten
  • Automotive-Steuergeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen DCR unter 0,06Ω erfordern
  • Hochfrequenz-Rauschunterdrückung außerhalb des effektiven Bereichs der Impedanzkurve

Vor der Verwendung prüfen

  • Überprüfen Sie, ob die Impedanzkurve mit Ihrem Rauschfrequenzprofil übereinstimmt.
  • Bestätigen Sie, dass der 3A-Nennstrom die Spitzenlast Ihrer Schaltung abdeckt.

Wichtige Specs

Impedanz
100Ω @ 100MHz
Nennstrom
3A
Gleichstromwiderstand
0,06Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikAutomobilindustrieIndustrielle Anwendungen

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für YI201209U101-3R0T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein mehrschichtiges Ferrit-Chip-Bead zur EMI-Rauschunterdrückung mit einer Impedanz von 100Ω bei 100MHz und einem Nennstrom von 3A.