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YJG150N03A KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

YJG150N03A product

YJG150N03A

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30V150APDFN 5x6

Der YJG150N03A ist ein leistungsstarker 30V, 150A N-Kanal-MOSFET im kompakten PDFN 5x6-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandlung und -verwaltung.

Ideal für

  • DC-DC-Stromwandlung
  • Hochstrom-Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine VDS >30V erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen PDFN 5x6 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
150 A
RDS(ON)
< 2,0 mohm

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementDC-DC-Wandler

Datenblatt

07daa3d8594ddec8ed905d614bc70b4b_2201131330_Yangzhou-Yangjie-Elec-Tech-YJG150N03A_C919573.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für YJG150N03A laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der Trench-Power-MV-Technologie nutzt und in einem PDFN 5x6-Gehäuse untergebracht ist.