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YJG25GP10A KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

YJG25GP10A product

YJG25GP10A

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETLeistungPDFN 5x6

Der YJG25GP10A ist ein P-Kanal-MOSFET mit -100V und -25A im PDFN 5x6-Gehäuse, optimiert für effizientes Energiemanagement und DC-DC-Wandler.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Typen erfordern
  • Sehr platzkritische Designs

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-100 V
ID
-25 A
RDS(ON)
<48 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementDC-DC-Wandler

Datenblatt

5bac7743cc923daa6f2c46822b383634_2201131330_Yangzhou-Yangjie-Elec-Tech-YJG25GP10A_C919617.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für YJG25GP10A laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-MOSFET in Enhancement-Mode-Technologie, der Split-Gate-Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand nutzt.