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YJG25GP10AQ KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

YJG25GP10AQ product

YJG25GP10AQ

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETAutomotive100V

Der YJG25GP10AQ ist ein AEC-Q101-qualifizierter P-Kanal-MOSFET für Power-Management-Anwendungen mit -100V Drain-Source-Spannung und -25A Strombelastbarkeit.

Ideal für

  • Automotive Power Management
  • Tragbare Geräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochfrequenzanwendungen außerhalb der Spezifikationen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-100 V
ID
-25 A
RDS(on)
<55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power ManagementAutomotive

Datenblatt

65658043227fb2e9c72549393da7ef0f_2401111813_Yangzhou-Yangjie-Elec-Tech-YJG25GP10AQ_C20605777.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für YJG25GP10AQ laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET mit Split-Gate-Trench-Technologie, geeignet für Automotive- und allgemeine Stromversorgungsanwendungen.