YSFB1050-100M Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | YJYCOIN | PartGenie

KI-Zusammenfassung

YSFB1050-100M product

Der YSFB1050-100M ist eine 10µH Hochstrom-Leistungsinduktivität im 10,5x10,2mm SMD-Gehäuse, optimiert für niedrigen Gleichstromwiderstand (DCR) und hohe Effizienz.

Ideal für

DC/DC-Wandlung
Hochstromfilterung

Vermeiden, wenn

Platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitung in der Endanwendung

Wichtige Specs

Induktivität: 10 µH
Sättigungsstrom: 7,3 A
DCR Max.: 20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für YSFB1050-100M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet 10µH Induktivität (±20%), 20mΩ max. DCR, 7,3A Sättigungsstrom und 5,6A Temperaturanstiegsstrom.