ProjektePreiseInsights

ZXTN5551GTA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ZXTN5551GTA product

ZXTN5551GTA

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNBJTHochspannungSOT223

Der ZXTN5551GTA ist ein 160V NPN-Bipolartransistor für Hochspannungsverstärkung, der vom Hersteller als 'Nicht für neue Designs empfohlen' eingestuft wird.

Ideal für

  • Hochspannungsverstärkerschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Neue Designs (verwenden Sie DZT5551)

Vor der Verwendung prüfen

  • Verfügbarkeit des empfohlenen Ersatztyps DZT5551 prüfen

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
Gehäuse
SOT223

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Hochspannungsverstärkung

Datenblatt

ZXTN5551GTA-Diodes-Inc.-datasheet-14188842.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ZXTN5551GTA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Bipolartransistor (BJT) für hohe Spannungen bis 160V VCEO und 600mA Kollektorstrom im SOT223-Gehäuse.