Der DMG1012T ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT523-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten bei niedrigen Spannungen.
DMG1012T-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Vds
- 20 V
- Id
- 0,63 A
- Rds(on)
- 0,3 - 0,7 Ohm
- Gehäuse
- SOT523
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
UnterhaltungselektronikIndustriesteuerungStrommanagement
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für DMG1012T-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
3| Part | Details | Match |
|---|---|---|
![]() DMG1012TDiodes Incorporated | DMG1012T is a close same-vendor SOT523 N-MOSFET candidate for DMG1012T-7. | Needs validation |
